casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2N6770T1
codice articolo del costruttore | 2N6770T1 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6770T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6770T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6770T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6770T1-FT |
UPA2631T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2815T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2816T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2822T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
ZVN4424GQTA
Diodes Incorporated
ZXMN2F30FHQTA
Diodes Incorporated
ZXMN3A14FQTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A13GQTA
Diodes Incorporated
NTMTS001N06CLTXG
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.