codice articolo del costruttore | 2N6796U |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2N6796U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6796U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Pacchetto / caso | 18-CLCC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6796U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6796U-FT |
ZVN4424GQTA
Diodes Incorporated
ZXMN2F30FHQTA
Diodes Incorporated
ZXMN3A14FQTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A13GQTA
Diodes Incorporated
NTMTS001N06CLTXG
ON Semiconductor
NVATS4A103PZT4G
ON Semiconductor
DMP21D6UFB4-7B
Diodes Incorporated
IXFT80N30P3
IXYS
IXFT88N28P
IXYS
SI7450DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel