casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 5HN01C-TB-EX
codice articolo del costruttore | 5HN01C-TB-EX |
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Numero di parte futuro | FT-5HN01C-TB-EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
5HN01C-TB-EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5HN01C-TB-EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 5HN01C-TB-EX-FT |
2N6768T1
Microsemi Corporation
2N6770
Microsemi Corporation
2N6770T1
Microsemi Corporation
2N6782U
Microsemi Corporation
2N6784U
Microsemi Corporation
2N6788U
Microsemi Corporation
2N6790U
Microsemi Corporation
2N6796U
Microsemi Corporation
2N6798U
Microsemi Corporation
2N6800U
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel