casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / 5082-3080#T25
codice articolo del costruttore | 5082-3080#T25 |
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Numero di parte futuro | FT-5082-3080#T25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
5082-3080#T25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.4pF @ 50V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 2.5 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
5082-3080#T25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 5082-3080#T25-FT |
MA4P4001B-402
M/A-Com Technology Solutions
MA4P4002B-402
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1319-1
M/A-Com Technology Solutions
MA47222
M/A-Com Technology Solutions
MX51363-145
Knowles Voltronics
GA01PNS80-220
GeneSiC Semiconductor
GA01PNS150-220
GeneSiC Semiconductor
GA01PNS150-201
GeneSiC Semiconductor
DMV1500SDFD6
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DMV1500MFD5
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LFXP3E-3TN144I
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XC3S1200E-4FTG256I
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M2GL010T-FGG484
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AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
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5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
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XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel