casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / GA01PNS80-220
codice articolo del costruttore | GA01PNS80-220 |
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Numero di parte futuro | FT-GA01PNS80-220 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA01PNS80-220 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 8000V |
Corrente - max | 2A |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 1000V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA01PNS80-220 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GA01PNS80-220-FT |
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA980-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA980-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA982-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
M7A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC256-2X
Intel
10M25SCE144I7G
Intel
5SGXEB6R3F43I3N
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
XC7VX980T-L2FFG1926E
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel