casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / MA4P4001B-402
codice articolo del costruttore | MA4P4001B-402 |
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Numero di parte futuro | FT-MA4P4001B-402 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P4001B-402 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Resistenza @ Se, F | 500 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P4001B-402 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA4P4001B-402-FT |
HSCH-5340
Broadcom Limited
HSCH-5512
Broadcom Limited
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel