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codice articolo del costruttore | 2SK4177-DL-1E |
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Numero di parte futuro | FT-2SK4177-DL-1E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK4177-DL-1E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK4177-DL-1E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK4177-DL-1E-FT |
ECH8410-TL-H
ON Semiconductor
ECH8419-TL-H
ON Semiconductor
ECH8601M-C-TL-HX
ON Semiconductor
EMH1307-TL-H
ON Semiconductor
EMH1405-P-TL-H
ON Semiconductor
EMH1405-TL-H
ON Semiconductor
EMH2801-TL-H
ON Semiconductor
NTHS5404T1G
ON Semiconductor
NTHS4101PT1G
ON Semiconductor
NTHS5443T1G
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel