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ON Semiconductor 2SK3816-DL-1E

Numero parte MFG
2SK3816-DL-1E
quantità disponibile
81800 pezzi
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 40A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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2SK3816-DL-1E specificazioni

codice articolo del costruttore 2SK3816-DL-1E
Numero di parte futuro FT-2SK3816-DL-1E
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
2SK3816-DL-1E Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1780pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263-2
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3816-DL-1E Peso Contattaci
Numero parte di ricambio 2SK3816-DL-1E-FT

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