codice articolo del costruttore | 2SK3047 |
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Numero di parte futuro | FT-2SK3047 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK3047 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220D-A1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK3047 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK3047-FT |
TK1K9A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IPA093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
R6009ENX
Rohm Semiconductor
TK10A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20A60W,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
RCX220N25
Rohm Semiconductor
SPA04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
TK290A60Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFIB5N65APBF
Vishay Siliconix
RCX051N25
Rohm Semiconductor
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel