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Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F,S4X

Name: TK1K9A60F,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK1K9A60F,S4X
Price: 0.728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (91 reviews)

Numero parte MFG: TK1K9A60F,S4X

quantità disponibile: 52800 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.728

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIX PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK1K9A60F,S4X.pdf

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TK1K9A60F,S4X specificazioni

codice articolo del costruttore	TK1K9A60F,S4X
Numero di parte futuro	FT-TK1K9A60F,S4X
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIX
TK1K9A60F,S4X Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 300V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK1K9A60F,S4X Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK1K9A60F,S4X-FT

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