casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA093N06N3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA093N06N3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA093N06N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPA093N06N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA093N06N3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA093N06N3GXKSA1-FT |
IRFIZ34GPBF
Vishay Siliconix
IRLI530GPBF
Vishay Siliconix
IRLI3705NPBF
Infineon Technologies
R6006ANX
Rohm Semiconductor
IRFIB6N60APBF
Vishay Siliconix
IRFI4410ZPBF
Infineon Technologies
IRFI644GPBF
Vishay Siliconix
IRLIZ14GPBF
Vishay Siliconix
IRFI840GPBF
Vishay Siliconix
IRFIBF20GPBF
Vishay Siliconix
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel