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Renesas Electronics America RJK03C1DPB-00#J5

Name: RJK03C1DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK03C1DPB-00#J5
Availability: InStock
Rating: 4.5 (22 reviews)

Numero parte MFG: RJK03C1DPB-00#J5

quantità disponibile: 14530 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RJK03C1DPB-00#J5.pdf

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RJK03C1DPB-00#J5 specificazioni

codice articolo del costruttore	RJK03C1DPB-00#J5
Numero di parte futuro	FT-RJK03C1DPB-00#J5
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJK03C1DPB-00#J5 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6000pF @ 10V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK03C1DPB-00#J5 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RJK03C1DPB-00#J5-FT

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