codice articolo del costruttore | 2SJ656 |
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Numero di parte futuro | FT-2SJ656 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SJ656 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75.5 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220ML |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ656 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SJ656-FT |
IRFI9634GPBF
Vishay Siliconix
RCX160N20
Rohm Semiconductor
TK10A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK1K9A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IPA093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
R6009ENX
Rohm Semiconductor
TK10A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20A60W,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
RCX220N25
Rohm Semiconductor
SPA04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel