casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SJ438(AISIN,A,Q)
codice articolo del costruttore | 2SJ438(AISIN,A,Q) |
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Numero di parte futuro | FT-2SJ438(AISIN,A,Q) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2SJ438(AISIN,A,Q) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220NIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ438(AISIN,A,Q) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SJ438(AISIN,A,Q)-FT |
IRFIBF30GPBF
Vishay Siliconix
R6015ANX
Rohm Semiconductor
RCX100N25
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R6007ENX
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XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
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A3PN030-Z1QNG48
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M2GL025T-VFG400
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EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
Intel