casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RCX511N25
codice articolo del costruttore | RCX511N25 |
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Numero di parte futuro | FT-RCX511N25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RCX511N25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCX511N25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RCX511N25-FT |
IRFI720GPBF
Vishay Siliconix
IRFI740GLCPBF
Vishay Siliconix
IRLI630GPBF
Vishay Siliconix
IRFIZ48GPBF
Vishay Siliconix
R6008ANX
Rohm Semiconductor
IRFIZ34GPBF
Vishay Siliconix
IRLI530GPBF
Vishay Siliconix
IRLI3705NPBF
Infineon Technologies
R6006ANX
Rohm Semiconductor
IRFIB6N60APBF
Vishay Siliconix
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel