casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / 2SC5347AF-TD-E
codice articolo del costruttore | 2SC5347AF-TD-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SC5347AF-TD-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC5347AF-TD-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 4.7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
Guadagno | 8dB |
Potenza - Max | 1.3W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 135 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PCP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC5347AF-TD-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC5347AF-TD-E-FT |
HFA3128BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046B96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3046BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3102B96
Renesas Electronics America Inc.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208B
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
APA600-CQ208B
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100A
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2X
Intel
5SGXMA3E3H29C4N
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
XC7K325T-L2FFG900E
Xilinx Inc.
10AX090H4F34I3LG
Intel