casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / 2SC2714-O(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | 2SC2714-O(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2714-O(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2714-O(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Frequenza - Transizione | 550MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 2.5dB @ 100MHz |
Guadagno | 23dB |
Potenza - Max | 100mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 1mA, 6V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2714-O(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2714-O(TE85L,F)-FT |
NE85633-T1B-A
CEL
NE85633-T1B-R23-A
CEL
NE85633-T1B-R24-A
CEL
NE85633-T1B-R25-A
CEL
NE85633L-A
CEL
NE94433-T1B
CEL
NE94433-T1B-A
CEL
NE97733-A
CEL
NE97733-T1B-A
CEL
NE97833-A
CEL
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
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10AX032E2F27E2LG
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5SGXEB6R3F43I4N
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