casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC2655-O(ND1,AF)
codice articolo del costruttore | 2SC2655-O(ND1,AF) |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2655-O(ND1,AF) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2655-O(ND1,AF) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2655-O(ND1,AF) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2655-O(ND1,AF)-FT |
2SA1020-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,T6NSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel