casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1020-Y(T6TR,A,F
codice articolo del costruttore | 2SA1020-Y(T6TR,A,F |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1020-Y(T6TR,A,F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1020-Y(T6TR,A,F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1020-Y(T6TR,A,F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1020-Y(T6TR,A,F-FT |
BC 846BW H6327
Infineon Technologies
BC 847CW B6327
Infineon Technologies
BC 856BW E6433
Infineon Technologies
BC 856BW H6327
Infineon Technologies
BC 856BW H6433
Infineon Technologies
BC80725WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC80740WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC80825WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817K16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC817K25WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel