casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1020-Y,T6NSF(J
codice articolo del costruttore | 2SA1020-Y,T6NSF(J |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1020-Y,T6NSF(J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1020-Y,T6NSF(J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1020-Y,T6NSF(J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1020-Y,T6NSF(J-FT |
BC80740WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC80825WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817K16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC817K25WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817K25WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC817K25WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BC817K40WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817K40WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC818K16WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC818K16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel