codice articolo del costruttore | 2SB1570 |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1570 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1570 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 7mA, 7A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5000 @ 7A, 4V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | MT-200 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1570 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1570-FT |
BUV98AV
STMicroelectronics
ESM2012DV
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STE07DE220
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LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1FG484C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C8
Intel
XC4VLX160-11FFG1148I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3LG
Intel