casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ESM2030DV
codice articolo del costruttore | ESM2030DV |
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Numero di parte futuro | FT-ESM2030DV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESM2030DV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 67A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.6A, 56A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 56A, 5V |
Potenza - Max | 150W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESM2030DV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESM2030DV-FT |
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BUX10
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Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel