casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / ESM5045DV
codice articolo del costruttore | ESM5045DV |
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Numero di parte futuro | FT-ESM5045DV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESM5045DV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 2.8A, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 50A, 5V |
Potenza - Max | 175W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESM5045DV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ESM5045DV-FT |
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XC6VCX130T-2FFG484I
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M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
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10M16DCF256I6G
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5SGXMA4K3F40I4N
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XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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