casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA1955FVATPL3Z
codice articolo del costruttore | 2SA1955FVATPL3Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-2SA1955FVATPL3Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1955FVATPL3Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 100mW |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Pacchetto dispositivo fornitore | CST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1955FVATPL3Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1955FVATPL3Z-FT |
2SC2383-O,T6ALPF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2383-Y(T6DNS,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2383-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2482(FJTN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2482(T6TOJS,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-O(ND1,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-O(ND2,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2655-Y(6MBH1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel