casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC2482(FJTN,F,M)
codice articolo del costruttore | 2SC2482(FJTN,F,M) |
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Numero di parte futuro | FT-2SC2482(FJTN,F,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC2482(FJTN,F,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC2482(FJTN,F,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC2482(FJTN,F,M)-FT |
2SA1020-Y(T6ND1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel