casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / UPA2815T1S-E2-AT
codice articolo del costruttore | UPA2815T1S-E2-AT |
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Numero di parte futuro | FT-UPA2815T1S-E2-AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPA2815T1S-E2-AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HWSON (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA2815T1S-E2-AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPA2815T1S-E2-AT-FT |
DMP1012USS-13
Diodes Incorporated
DMP2010UFV-13
Diodes Incorporated
DMP2010UFV-7
Diodes Incorporated
DMP2021UTS-13
Diodes Incorporated
DMP2021UTSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2033UVT-7
Diodes Incorporated
DMP2040USS-13
Diodes Incorporated
DMP2075UVT-7
Diodes Incorporated
DMP3004SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3017SFV-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation