casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / UPA2631T1R-E2-AX
codice articolo del costruttore | UPA2631T1R-E2-AX |
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Numero di parte futuro | FT-UPA2631T1R-E2-AX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPA2631T1R-E2-AX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 3A, 1.8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA2631T1R-E2-AX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPA2631T1R-E2-AX-FT |
DMP1011LFV-13
Diodes Incorporated
DMP1011LFV-7
Diodes Incorporated
DMP1012USS-13
Diodes Incorporated
DMP2010UFV-13
Diodes Incorporated
DMP2010UFV-7
Diodes Incorporated
DMP2021UTS-13
Diodes Incorporated
DMP2021UTSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2033UVT-7
Diodes Incorporated
DMP2040USS-13
Diodes Incorporated
DMP2075UVT-7
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel