casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2N6766T1
codice articolo del costruttore | 2N6766T1 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6766T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6766T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6766T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6766T1-FT |
STP78NF55-08
STMicroelectronics
STP80NF55
STMicroelectronics
UPA2600T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2630T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2631T1R-E2-AX
Renesas Electronics America
UPA2814T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2815T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2816T1S-E2-AT
Renesas Electronics America
UPA2822T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
ZVN4424GQTA
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel