codice articolo del costruttore | 2N6520 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6520 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6520 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 40MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6520 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6520-FT |
JANTXV2N3867S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868
Microsemi Corporation
JANTXV2N3879
Microsemi Corporation
JANTXV2N3902
Microsemi Corporation
JANTXV2N3998
Microsemi Corporation
JANTXV2N3999
Microsemi Corporation
JANTXV2N4234
Microsemi Corporation
JANTXV2N4236
Microsemi Corporation
JANTXV2N4237
Microsemi Corporation
JANTXV2N4238
Microsemi Corporation
AGL030V2-QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
Xilinx Inc.
XC4010E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5AGXFB7H6F35C6N
Intel
EP2AGX95EF35I3N
Intel
EP3C55F780C8N
Intel
EP20K200EQC240-3N
Intel