casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N5195 SL H
codice articolo del costruttore | 2N5195 SL H |
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Numero di parte futuro | FT-2N5195 SL H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5195 SL H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 1A, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 40W |
Frequenza - Transizione | 2MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5195 SL H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5195 SL H-FT |
2C5012
Microsemi Corporation
2C5013
Microsemi Corporation
2C5014
Microsemi Corporation
2C5015
Microsemi Corporation
2N1613A
Microsemi Corporation
2N1700
Microsemi Corporation
2N1702
Microsemi Corporation
2N2221AL
Microsemi Corporation
2N2222AE3
Microsemi Corporation
2N2369
ON Semiconductor
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel