codice articolo del costruttore | 2N3962 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3962 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3962 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3962 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3962-FT |
2N697
Microsemi Corporation
2N697S
Microsemi Corporation
2N918UB
Microsemi Corporation
2N930
Microsemi Corporation
2N930A
Microsemi Corporation
BC847BFAQ-7B
Diodes Incorporated
TIP29A SL
Central Semiconductor Corp
TIP31C SL
Central Semiconductor Corp
TIP32A SL
Central Semiconductor Corp
TIP42C SL
Central Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel