codice articolo del costruttore | 2N3808 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3808 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3808 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3808 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3808-FT |
JANSR2N3810U
Microsemi Corporation
JAN2N2060L
Microsemi Corporation
JAN2N2919L
Microsemi Corporation
JAN2N2919U
Microsemi Corporation
JAN2N2920L
Microsemi Corporation
JAN2N2920U
Microsemi Corporation
JAN2N3810L
Microsemi Corporation
JAN2N3810U
Microsemi Corporation
JAN2N6987
Microsemi Corporation
JAN2N6988
Microsemi Corporation
XC2S30-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-2X
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
5SGXEB6R2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA7H2F35C3N
Intel