casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JAN2N3810U
codice articolo del costruttore | JAN2N3810U |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3810U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/336 |
JAN2N3810U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3810U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3810U-FT |
BC846BPN/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC846BS/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC846BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC846S/ZLH
Nexperia USA Inc.
BC846S/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC847BPN/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC847BPN/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC847BS/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC847BS/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC856S/ZLF
Nexperia USA Inc.
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel