codice articolo del costruttore | 2N3806 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3806 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3806 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3806 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3806-FT |
2N3810
Microsemi Corporation
STA322A
Sanken
JANSR2N3810U
Microsemi Corporation
JAN2N2060L
Microsemi Corporation
JAN2N2919L
Microsemi Corporation
JAN2N2919U
Microsemi Corporation
JAN2N2920L
Microsemi Corporation
JAN2N2920U
Microsemi Corporation
JAN2N3810L
Microsemi Corporation
JAN2N3810U
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
EP2C35U484C7
Intel
XC2VP20-5FF896I
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5F23I7N
Intel
EP4CE30F29I7
Intel