casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N3700UB
codice articolo del costruttore | 2N3700UB |
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Numero di parte futuro | FT-2N3700UB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3700UB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3700UB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3700UB-FT |
JANTX2N4029
Microsemi Corporation
JANTX2N720A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N2906A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N3700
Microsemi Corporation
JANTXV2N930
Microsemi Corporation
JAN2N2222A
Microsemi Corporation
JAN2N2907A
Microsemi Corporation
JAN2N3700
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel