codice articolo del costruttore | 2N3416 |
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Numero di parte futuro | FT-2N3416 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3416 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 2mA, 4.5V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3416 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3416-FT |
DRDN005W-7
Diodes Incorporated
DRDP006W-7
Diodes Incorporated
DSS4240Y-7
Diodes Incorporated
DSS8110Y-7
Diodes Incorporated
DRDN010W-7
Diodes Incorporated
DSL12AW-7
Diodes Incorporated
DSS5240Y-7
Diodes Incorporated
DSS9110Y-7
Diodes Incorporated
DVR1V8W-7
Diodes Incorporated
DVR2V5W-7
Diodes Incorporated
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEABN2F45C3N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel