casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / DRDN005W-7
codice articolo del costruttore | DRDN005W-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DRDN005W-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRDN005W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN + Diode (Isolated) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDN005W-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRDN005W-7-FT |
BC847AW-7-F
Diodes Incorporated
BC817-16W-7
Diodes Incorporated
BC846AW-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06Q-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
Diodes Incorporated
MMST3904-7-F
Diodes Incorporated
MMST2222A-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel