codice articolo del costruttore | 2N2907 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2907 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2907 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 1.8W |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2907 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2907-FT |
JANTX2N6383
Microsemi Corporation
JANTX2N6384
Microsemi Corporation
JANTX2N6547
Microsemi Corporation
JANTX2N6674
Microsemi Corporation
JANTX2N6676
Microsemi Corporation
JANTXV2N1893
Microsemi Corporation
JANTXV2N1893S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3418
Microsemi Corporation
JANTXV2N3418S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3419S
Microsemi Corporation
EP2C5T144I8
Intel
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
10CL025ZU256I8G
Intel
5SGXEA5N2F40I2L
Intel
EP4CGX30BF14C6N
Intel
5SGXEA4H3F35I3N
Intel
XC4VLX40-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
Intel