casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3418S
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3418S |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3418S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/393 |
JANTXV2N3418S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3418S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3418S-FT |
JAN2N3997
Microsemi Corporation
JAN2N3998
Microsemi Corporation
JAN2N3999
Microsemi Corporation
JAN2N4150S
Microsemi Corporation
JAN2N4234
Microsemi Corporation
JAN2N4236
Microsemi Corporation
JAN2N4237
Microsemi Corporation
JAN2N4238
Microsemi Corporation
JAN2N4239
Microsemi Corporation
JAN2N5151
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel