codice articolo del costruttore | 2N1016B |
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Numero di parte futuro | FT-2N1016B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
2N1016B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N1016B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N1016B-FT |
JAN2N2907AL
Microsemi Corporation
JAN2N2907AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2221A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2222AUB
Microsemi Corporation
JANTXV2N3700UB
Microsemi Corporation
TIP30
Central Semiconductor Corp
TIP30A
Central Semiconductor Corp
TIP30C
Central Semiconductor Corp
TIP31
Central Semiconductor Corp
TIP31B
Central Semiconductor Corp
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
P1AFS1500-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFC672-2
Intel
5SGSED8K2F40I3N
Intel
5SGXMB5R1F43I2N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation