casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 2A06G A0G
codice articolo del costruttore | 2A06G A0G |
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Numero di parte futuro | FT-2A06G A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2A06G A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2A06G A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2A06G A0G-FT |
HER152G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER153G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER153G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER154G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER154G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER155G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER155G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER156G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER157G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER157G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel