casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER157G B0G
codice articolo del costruttore | HER157G B0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER157G B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER157G B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER157G B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER157G B0G-FT |
SF2L8GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2D R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2DHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5392G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5392GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5392GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel