casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER155G A0G
codice articolo del costruttore | HER155G A0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HER155G A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER155G A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER155G A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER155G A0G-FT |
SF2L4GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L6GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L8G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2L8GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2D R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2DHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5391GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel