casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 24AA515T-I/SM
codice articolo del costruttore | 24AA515T-I/SM |
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Numero di parte futuro | FT-24AA515T-I/SM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
24AA515T-I/SM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 900ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
24AA515T-I/SM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 24AA515T-I/SM-FT |
GD25Q32CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel