casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25VE16CSIG
codice articolo del costruttore | GD25VE16CSIG |
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Numero di parte futuro | FT-GD25VE16CSIG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25VE16CSIG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.1V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VE16CSIG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25VE16CSIG-FT |
W25Q40EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q64FWSTIG
Winbond Electronics
W25Q64FWSTIG TR
Winbond Electronics
W25Q80DLSNIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSVIG
Winbond Electronics
W25Q80EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25X05CLSNIG
Winbond Electronics
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel