casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25VE20CSIG
codice articolo del costruttore | GD25VE20CSIG |
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Numero di parte futuro | FT-GD25VE20CSIG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25VE20CSIG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.1V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VE20CSIG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25VE20CSIG-FT |
W25Q80DLSNIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q80EWSVIG
Winbond Electronics
W25Q80EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25X05CLSNIG
Winbond Electronics
W25X05CLSNIG TR
Winbond Electronics
W25X10CLSNIG
Winbond Electronics
W25X10CLSNIG TR
Winbond Electronics
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel