codice articolo del costruttore | 1N6676 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6676 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6676 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6676 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6676-FT |
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation
JANTX1N1614
Microsemi Corporation
JANTX1N1204AR
Microsemi Corporation
JANTX1N1204A
Microsemi Corporation
JANTX1N1202A
Microsemi Corporation
JANTX1N1190R
Microsemi Corporation
JANTX1N1190
Microsemi Corporation
JANTX1N1184
Microsemi Corporation
JANS1N5617US
Microsemi Corporation
JANS1N5418
Microsemi Corporation
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel