codice articolo del costruttore | 1N5821 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5821 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5821 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 190pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5821 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5821-FT |
1N3883
GeneSiC Semiconductor
1N3881R
GeneSiC Semiconductor
1N3881
GeneSiC Semiconductor
1N3879
GeneSiC Semiconductor
1N3889R
GeneSiC Semiconductor
1N3883R
GeneSiC Semiconductor
1N3892R
GeneSiC Semiconductor
1N3879R
GeneSiC Semiconductor
1N3892
GeneSiC Semiconductor
1N3889
GeneSiC Semiconductor
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel