codice articolo del costruttore | 1N3879 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3879 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3879 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3879 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3879-FT |
MBRH15030L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020RL
GeneSiC Semiconductor
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel