codice articolo del costruttore | 1N3879 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3879 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3879 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3879 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3879-FT |
MBRH15030L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020RL
GeneSiC Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel