casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3881R
codice articolo del costruttore | 1N3881R |
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Numero di parte futuro | FT-1N3881R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3881R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3881R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3881R-FT |
MBRH15020L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15020RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15030L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045RL
GeneSiC Semiconductor
A54SX16P-2TQG144I
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LCMXO2-1200ZE-1TG100I
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XC7K410T-2FBG676C
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EP2AGX65DF25C5
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5SGXMABN3F45I3N
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5SGXMA5H2F35I3N
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XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
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LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
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